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照度计的成本结构

作者:照度计的成本结构  转载自:照度计的成本结构  发布日期:2012/12/12

照度计的成本结构

整流二极管…测量时,数字万用表可以测量发光二极管。表笔位置与电压测量一样,将旋钮旋到档;用红表笔接二极管的正极,黑表笔接负极照度计,这时会显示二极管的正向压降。肖特基二极管的压降是0.2V左右,普通硅整流管(1N40001N5400系列等)约为0.7V发光二极管约为1.82.3V调换表笔,显示屏显示“1.则为正常,因为二极管的反向电阻很大,否则此管已被击穿。
以减小温度漂移。其中VBE温度系数在室温时大约为-2mV/°C而热电压VT=KT/q其温度系数在室温时大约为+0.086mV/°C将电压VT乘以常数K以后与电压VBE相加照度计,利用热电压VT正温度系数与双极型晶体管BE结电压VBE负温度系数相互补偿。便可得输出电压VREF为:
并将VBE和VT温度系数值代入,将式(1两端同时对温度T求微分。令等式值为零,就可求得K值,使得带隙基准电压的温度系数值在理论上为零。由于VT与电源值无关三用表,而VBE受电源变化的影响极小,故VREF受电源的影响也很小。
由此芯片的功耗将减小到最低值。此外,低Rdson提供了极高的工作效率并允许高负载电流。宏力半导体还为电源管理芯片提供了多种工艺选项,包括高压BipolarZener二极管、Schottki二极管、顶层厚铝、悬浮NLDMOSMIM电容、多晶硅高阻值电阻和OTP
由此可帮助客户极大地优化其产品的成本结构。销售市场及服务资深副总裁卫彼得博士说,宏力半导体是国内第一家成功研发0.18微米电压可调CDMOS制程及其设计工具包的晶圆代工厂。该工艺的优势在于通过高压Bipolar器件就可满足目前很多必须使用复杂的BCD工艺的应用需求。另外,由于其电压可调及拥有多个工艺选项的特性,可以加速设计周期照度计,为客户缩短产品投放市场的时间。这个新工艺应用十分广泛,例如电源管理、LED驱动、音频芯片和马达控制。
以电流为主动参数,大家都知道LED靠电流激发芯片促使荧光粉而放光的其电压是一个被动值。也就是说衡量LED参数。电压为被动参数。而LED用在照明领域,对亮度要求极高,所以说对电流的精度也极高。基于以上论述,下面探讨纹波电压对LED伤害到底有多大。
以提高电流测量精度。但是受放大器最小输出电压(VOL和输入VOS影响,校准并非一个简单过程。本应用笔记讨论了一种“调整”单向检流放大器输入VOS简单方法。利用这一方法测量输入VOS时不受VOL限制,并且能够提高整体电流测量精度照度计。以MA X4080检流放大器为例对这项技术进行探讨。有人说用TVS,扼流圈,X电容,事实上用处都不大.因为工作在正常电流下的LED对电压变化很敏感.知道,LED工作在稳定电流时,如草帽灯,工作在20MA 时,稳定电压在3.1V左右,其两端所加电压增加0.1V时,其两端的电流并不是增加百分之几,而是可能增加百分之几十,增加0.5V,也不是增加百分之几十,而是增加百分之几百,即好几倍,虽然以上那几个元件,能起一点作用,但经过TVS过滤过的电压,还是有400V以上照度计,这个电压依然会让输出端电流猛的增加,这时输出就相当于短路,非隔离电源的表现就是瞬间炸坏恒流环,甚至开关管,直接导致LED全军覆没,隔离电源的现象就是炸坏开关管,导致灯不亮.这才是根本原因.这是由LED特性决定的.一些应用中需要对检流放大器的输入失调电压(VOS进行校准。
例如:MA X4081具有1.5V基准,双向检流放大器具有内部基准噪音计。能够将输出测量电压偏置在1.5V这样,输入差分电压为零时,输出为1.5V±VOS引入误差。1.5V电压高于放大器的VOL不会影响误差分析。可通过测量输出电压与1.5V理论电压之差计算得到VOS误差。但是这种方法有一个缺点:降低了动态范围。对于0至5V输入动态范围的ADC器件,动态范围降低了30%输出范围为1.5V至5V另外,这种方法需要使用价格较高的双向检流放大器,用于单向测量。最后,利用一个低漂移1.5V基准或额外的一个通道的目的只是为了测量该1.5V基准电压,设计人员很难接受这种方案。
该方法通过适当调整输入电阻在检流放大器MA X4080中引入一个已知的输入VOS设备制造商可以在生产过程中利用这种方法校准零输入电流下的VOS提高实时测量精度。本应用笔记介绍了一种校准输入失调的方法。
允许您配置一个积极的消极的或浮动输出。启用浮动输出由一个单独的绕组,摘要:该电路包括磁隔离。产生一个反馈电压成正比,但比输出电压低照度计,从而消除了大值电阻器电阻反馈分压器的需求。
静电陷阱和其他应用程序需要规范的高压电源,某些传感器。提供了一个适度的量的输出电流。简单,低静态电流钩式钩表,小尺寸可取的这类用品。图1电路符合这些要求,磁性隔离输出允许您配置一个积极的消极的或浮动输出。
提供了一种具有良好的电源抑制比特性和有效地补偿N型器件结压降变化的负温度系数的基准电压源电路;并提出了提高反馈回路稳定性的措施。设计了一种可以集成于只有N型有源器件和无源元件工艺中的基准电压源产生电路。为只存在N型MOS或者NPN型晶体管、没有P型器件、难以用传统的带隙电压源结构来产生精确参考电压的特定工艺。
把旋钮打旋到Ω”中所需的量程,将表笔插进“COM和“VΩ”孔中。用表笔接在电阻两端金属部位,测量中可以用手接触电阻,但不要把手同时接触电阻两端照度计,这样会影响测量精确度的人体是电阻很大但是有限大的导体。读数时物色分析仪,要保持表笔和电阻有良好的接触;注意单位:200档时单位是Ω”2K200K档时单位为 KΩ 2M以上的单位是MΩ”



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